Samsung LSI valmistaa tällä hetkellä Qualcommin Snapdragon 820 -laitetta toisen sukupolven 14 nm: n LPP FinFET -solmussa. Näyttää siltä, että eteläkorealainen yritys on pakattu sopimukseen myös ensi vuoden 10nm Snapdragon 830: aan. Se on Korean ET News -lehden mukaan, jonka mukaan SoC: ta käytetään Galaxy S8: ssa. Samsung säilyttää todennäköisesti saman strategian, jota se noudatti Galaxy S7: n ja S7: n reunaan, kun yhdysvaltalaisia malleja saa Snapdragon 830, kun taas globaali versio käyttää tulevaa Exynos 8895 -versiota.
Kuten Snapdragon 830, myös Samsungin oma Exynos 8895 perustuu 10 nm: n valmistusprosessiin. ET News kirjoittaa myös, että Qualcomm ja Samsung kehittelevät FoPLP (Fan-out Panel Level Package) -teknologiaa, joka eliminoi painetun piirilevyn tarpeen pakkausalustalle, jota käytetään Snapdragon 830: ssa ja Exynos 8895: ssä.
Emme tiedä paljon kummastakaan SoC: sta, mutta näyttää siltä, että Samsung haluaa lyödä huomattavasti korkeampia taajuuksia siirtymällä 10 nm: iin. Elokuussa tapahtuneesta Exynos 8895 -vuodosta voi päätellä, että Samsung osuu 4 GHz: n mukaiseen Mongoose-ytimeensä ja saavuttaa 2, 7 GHz Cortex A53 -ytimessä. On mielenkiintoista nähdä, millaisia suorituskyvyn voittoja Qualcomm saavuttaa Kryo-prosessorinsa toteutuksella.
