Samsung on ilmoittanut, että se tuottaa nyt massatuotteena maailman ensimmäistä 1 kt: n upotettua Universal Flash Storage 2.1 (eUFS) -moduulia puhelimille. Käynnistyksen ajoitus viittaa siihen, että tallennuspiiri voisi päätyä Galaxy S10 -malliin. Samsung huomautti, että moduuli itsessään on samankokoinen kuin 512 Gt: n siru, joka löytyy Galaxy Note 9: stä.
Samsung pystyy saavuttamaan tämän hyödyntämällä V-NAND-tekniikkaa, jossa NAND-solut pinotaan pystysuunnassa tiheyden ja tehokkuuden maksimoimiseksi. Samsung on suunnannut peräkkäisen lukunopeuden jopa 1000Mbps ja kirjoitusnopeuden 260Mbps, minkä pitäisi antaa tallennusmoduulin tarjota jatkuvaa videotallennusta jopa 960fps.
Samsungin muistimarkkinoinnin VP Cheol Choin mukaan 1TB eUFS-moduulilla on avainasemassa "tuomalla kannettavankaltainen käyttäjäkokemus seuraavan sukupolven mobiililaitteisiin". Samsungin matkapuhelinjohtaja DJ Koh sanoi aiemmin tällä viikolla haastattelussa, että Galaxy S10 vastaa asiakkaiden odotuksiin, ja yhden tavun sisäisen tallennustilan tarjoaminen on yksi tapa tehdä tämä.
