Joulukuussa 2014 Samsung otti käyttöön 4 Gt: n LPDDR4-matkapuhelin DRAM-paketin, jonka avulla älypuhelimissa voi olla 4 Gt RAM-muistia. Yhtiö on nyt ilmoittanut alan ensimmäisen 8 Gt: n LPDDR4-DRAM-moduulin, joka on tarkoitettu huippuluokan matkapuhelimille, erittäin ohuteille muistikirjoille ja tableteille.
DRAM-moduuli valmistetaan 10nm prosessilla, ja siinä näkyy neljä 16 gigabitin (2 Gt) LPDDR4-muistisirua pinottu 8 Gt: n moduulin luomiseksi. Muisti toimii nopeudella 4266Mbps, mikä 64-bittisen muistiväylän välityksellä johtaa yli 34 Gt / s nopeuteen. Tehokkaan valmistusprosessin ansiosta 8 Gt: n moduuli kuluttaa saman verran energiaa kuin vanhempi 4 Gt: n vastine, joka rakennettiin 20 nm solmuun.
Samsungin muistemyynnin ja markkinoinnin varatoimitusjohtaja Joo Sun Choi:
Tehokkaan 8 Gt: n mobiili DRAM-ratkaisumme tulo antaa mahdollisuuden seuraavan sukupolven lippulaivalaitteisiin ympäri maailmaa. Jatkamme edelleen edistyksellisten muistiratkaisujen tarjoamista, jotka tarjoavat korkeimmat arvot ja huipputekniset edut kaksoikamera-, 4K UHD- ja VR-ominaisuuksilla varustettujen laitteiden kasvaviin tarpeisiin.
Ei sanaakaan, kun näemme uuden DRAMin kuluttajalaitteissa, mutta kun Galaxy S8 uhkaa, on täysin mahdollista, että meidän ei tarvitse odottaa kauan nähdäksemme 8 Gt RAM-muistia puhelimissa.
